测算,在SIC器件成本中,衬底价值量占比接近50%。可以说,衬底材料的发展是未来第三代半导体行业发展的核心驱动因素,而在这一发展过程中,国内
在近日做客《沪市汇·硬科硬客》第二期节目“换道超车第三代半导体”中,董事长宗艳民指出,“我国第三代半导体行业起步初期,材料是产业高质量发展的关键,也是这个行业发展的基础,材料开发周期长、投入大,迭代速度慢”。
作为国内专注于从事半导体材料的公司,天岳先进成立于2010年,公司长时间坚持加大研发投入,实现了关键技术的重大突破,部分技术已走在国际前列,实现衬底规模化生产及自主可控。公司自主研发并掌握了碳化硅衬底材料制备的全流程工艺,荣获国家科学技术进步一等奖、山东省技术发明一等奖、山东省科学技术进步一等奖等荣誉。
近年来,公司发展迅猛,碳化硅衬底产品的质量和产量,不仅仅可以满足国内需求,实现了碳化硅衬底的全部进口替代,而且还实现了向海外输出,成为包括英飞凌、博世等海外头部企业的主要供货商。
“公司集中精力做好一件事,就是要把材料做出来,能够产业化,还要赶超海外,目前这个目标我们已做到了”,宗艳民介绍。截至目前,天岳先进仍然是A股专注于第三代半导体碳化硅衬底材料唯一的上市公司。
在我国长期资金市场“注册制”支持下,公司上市后资本实力明显提升,募集资金用于导电型衬底产能建设,目前项目已经实现投产。据公司报道,目前已经与多家头部半导体企业签署了长期供应协议,公司的衬底材料具备国际影响力。
天岳先进作为国内碳化硅衬底龙头,是全球少数能批量供应高质量4英寸、6英寸半绝缘型碳化硅衬底、6英寸导电型碳化硅衬底的企业,而公司能够规模化大批量稳定供应,主要依托于持续的技术投入。公司实现从2英寸到8英寸产品的自主扩径,掌握全流程核心关键技术。
目前公司正在根据下游客户的需求情况,规划8英寸衬底产能。根据公开报道,公司已成为英飞凌的供应商,而且将助力英飞凌向8英寸产品的过渡。
业界认为第三代半导体技术难点主要在材料和制造工艺。天岳先进董事长宗艳民表示,“碳化硅材料的缺陷是影响良率和成本的重要的条件,公司将继续在缺陷管理方面加大基础性研发技术,在缺陷表征方法及测试手段上实现突破”。随着终端应用的逐步扩大,衬底规模化生产之后有望逐步降低成本。
公开报道显示,天岳先进在各类前瞻性技术布局上亦具备先发优势。尤其是在液相法、冷切割技术等前沿技术领域,天岳先进已经加大投入。
近日,由工业与信息化部指导,中国汽车工程学会、中国汽车技术研究中心有限公司联合行业一同研究编制的《汽车产业绿色低碳发展路线》(以下简称《路线》)正式对外发布。《路线年,汽车占汽车新车总销量的45%;到2030年占比达到60%。
众多车型拥抱碳化硅材料,可见碳化硅在解决新能源汽车核心难题——续航和里程焦虑的及其重要的作用,碳化硅技术不仅节能提高续航能力,还能减少充电时间,实现真正意义上的“快充”。同时,除了在新能源汽车领域,光伏新能源发电、储能、新能源汽车充电桩、城际高速铁路和城市轨道交通、大数据中心的绿色电源领域等都对碳化硅材料有大量需求。

联系方式:
手机:18937632277
传真:18937632277
固话:18937632277
邮箱:yang96618@163.com
