【48812】中科院成功自主研制出6英寸碳化硅单晶衬底

  碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体资料，被大范围的应用于制造高温、高频及大功率电子器材。6英寸SiC单晶衬底的研制成功，为高性能SiC基电子器材的国产化供给了资料根底。

  本报讯（记者彭科峰）碳化硅（SiC）单晶是一种宽禁带半导体资料，被大范围的应用于制造高温、高频及大功率电子器材。此外，因为SiC和氮化镓的晶格失配小，SiC单晶是氮化镓基LED、肖特基二极管等器材的抱负衬底资料。为下降器材本钱，下流工业对SiC单晶衬底提出了大尺度的要求，现在世界市场上已有6英寸产品，估计市场占有率将逐年增大。

  中国科学院物理研讨所/北京凝聚态物理国家实验室（筹）先进资料与结构剖析实验室陈小龙研讨组长时间从事SiC单晶成长研讨作业，团队人员经过自主创新和探究，获得了SiC单晶成长设备、晶体成长和加工技能等一整套自主知识产权。

  2014年11月，团队人员与北京天科合达蓝光半导体有限公司协作，成功处理了6英寸扩径技能和晶片加工技能，研制出了6英寸SiC单晶衬底。拉曼光谱测验标明成长出的SiC晶体为4H晶型。这一效果标志着物理所的SiC单晶成长研制作业已达到世界领先水平。6英寸SiC单晶衬底的研制成功，为高性能SiC基电子器材的国产化供给了资料根底。