天岳先进取得碳化硅衬底清洁专利提高碳化硅衬底表面一致性

  2024年3月28日消息，据国家知识产权局公告，山东天岳先进科技股份有限公司取得一项名为“一种表面清洁度高的碳化硅衬底及其清洁方法“，授权公告号CN113488528B，申请日期为2021年7月。

  专利摘要显示，本申请公开了一种表面清洁度高的碳化硅衬底及其清洁方法，属于半导体材料处理技术领域，使用该清洁方法对碳化硅衬底进行清洁，能够提高碳化硅衬底C面和Si面的表面一致性。清洁后的碳化硅衬底的C面和Si面上，粒径＞1μm的颗粒个数＜10个，粒径在0.5μm1μm的颗粒个数＜20个，粒径在0.1μm0.5μm的颗粒个数＜30个，粒径在0.02μm0.1μm的颗粒个数＜70个。

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