【48812】总出资25亿半导体用碳化硅蚀刻环项目竣工

  2022年12月30日，2022年株洲市项目建造“百日攻坚”举动重点项目开竣工活动正式举办。活动现场共有76个项目会集开竣工，总出资306.9亿元，半导体用碳化硅蚀刻环项目就是其间一个。

  据悉，SiC刻蚀环是半导体资料在等离子刻蚀环节中的要害耗材。SiC刻蚀环对纯度要求极高，只能选用CVD工艺进行成长SiC厚层块体，随后经精细加工而制得，大多数都用在半导体刻蚀工艺的制备环节。

  本次竣工的半导体用碳化硅蚀刻环项目坐落株洲高新区新马工业园，总出资约2.5亿元，占地约60亩，首要进行半导体用碳化硅蚀刻环的研制、制作。项目悉数建成运营后，估计年均营收将达6亿元。

  该项目由湖南德智新资料有限公司出资，该公司是一家专门干碳化硅纳米镜面涂层及陶瓷基复合资料研制，出产和出售的高新技术企业。2020年，德智新材自主规划的国内最大化学气相堆积设备正式投入到正常的运用中，SiC涂层石墨基座顺利实现工业化。（文：化合物半导体商场 Winter收拾）

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